第一屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議

發(fā)布者：眺望科技                     發(fā)布日期：2018-07-04

 

第一屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議（Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018)）將于2018年7月9日-12日在北京舉行，參會規(guī)模近400人。

此次會議將圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開展廣泛交流，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研的相互合作和交流。深信這次會議必將對亞太地區(qū)碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。

 

近年來，碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體已成為全球高技術(shù)領(lǐng)域競爭戰(zhàn)略制高點之一，國際半導(dǎo)體及材料領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點。寬禁帶半導(dǎo)體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)，并在電子功率器件領(lǐng)域繼續(xù)深入發(fā)展。

 

 

美國Aymont專注于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅單晶材料應(yīng)用領(lǐng)域，其產(chǎn)品廣泛運用于能源、交通、信息、新材料等領(lǐng)域，如電子電力器件、微波射頻、可見光通訊、太陽能、半導(dǎo)體照明、紫外光存儲、激光顯示等行業(yè)，其產(chǎn)品在國內(nèi)處于領(lǐng)先地位。Aymont目前生產(chǎn)和銷售第一款商業(yè)型晶體生長爐，可以生長200mm SiC單晶晶柱；可用于量產(chǎn)150mm和200mm晶圓。

 

 

 

 

APCSCRM會議邀請來自亞太地區(qū)知名的專家學(xué)者齊聚一堂，共同學(xué)習(xí)和交流寬禁帶半導(dǎo)體材料生長、器件制備及封裝和器件模塊應(yīng)用等領(lǐng)域理論和技術(shù)。以下是部分邀請專家簡介：

 

 

1. 新井學(xué)（新日本無線，日本）

報告名稱：寬禁帶半導(dǎo)體（碳化硅、氮化鎵、氧化鎵和金剛石）器件綜述

 

 

 

2. 高冰（武漢大學(xué)，中國）

 

報告名稱：碳化硅PVT生長基面位錯模擬及其控制

 

 

3. 顧亦磊（陽光電源股份有限公司，中國）

 

報告名稱：基于SiC MOSFET的高效高功率密度光伏逆變器   

 

 

4. 土方 泰斗（琦玉大學(xué)，日本） 

 

報告名稱：基于Si和C的發(fā)射模型的SiC的熱氧化過程的宏觀模擬

 

 

5. 黃偉（復(fù)旦大學(xué)，中國）

 

報告名稱：可融合GaN/Si半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)

 

 

 

6. 巖室 憲幸（筑波大學(xué)，日本）

 

報告名稱：碳化硅MOSFET器件的最新進(jìn)展

 

 

7. 紀(jì)世陽（產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所，日本）

 

報告名稱：CVD外延——新型4H-SiC超結(jié)MOSFET的關(guān)鍵技術(shù)

 

 

8. 李順峰（北京大學(xué)東莞光電研究院，中國）

 

報告名稱：硅基GaN功率電子器件的開發(fā)應(yīng)用與展望

 

 

9. 劉國友（中國株洲中車時代電氣股份有限公司，中國）

 

報告名稱：SiC器件在軌道交通中的應(yīng)用前景

 

 

10. 陸國權(quán)（弗吉尼亞理工大學(xué)，美國）

 

 

報告名稱：汽車用高功率密度碳化硅功率模塊的封裝

 

 

11. 松浦 秀治（ 大阪電氣通信大學(xué)，日本）

 

報告名稱：利用霍爾效應(yīng)測量寬禁帶半導(dǎo)體的電學(xué)特性   

 

 

12. 水原 德?。≧OHM半導(dǎo)體(上海)有限公司，日本）

 

報告名稱：功率器件(SiC)的市場應(yīng)用~SiC功率器件的特征、應(yīng)用

 

 

13. 邱顯欽（長庚大學(xué)，臺灣）

 

報告名稱：六寸硅基氮化鎵功率與微波器件封裝與模塊開發(fā)

 

 

14. 邱宇峰（全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院，中國）

 

報告名稱：SiC器件在未來電網(wǎng)中的應(yīng)用

 

 

15. 孫國勝（東莞天域半導(dǎo)體科技有限公司，中科院半導(dǎo)體所，中國）

 

報告名稱：4H-SiC中三角形缺陷結(jié)構(gòu)及成因研究進(jìn)展

 

 

16. 溫旭輝（中國科學(xué)院電工研究所，中國）

 

報告名稱：電動汽車用超高功率密度SiC逆變電源的技術(shù)途徑分析

 

 

17. 張清純（北卡羅來納州立大學(xué)，美國）

 

報告名稱：寬禁帶半導(dǎo)體器件（氮化鎵和碳化硅）及其應(yīng)用的現(xiàn)狀與展望