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主要特點
l 經(jīng)濟型臺式濺射系統(tǒng)
l 可集成5個1.5英寸共濺射靶
l 向上或向下濺射
l 沉積均勻性+/-2.5% @ 3" (75mm)基片
l 選配load-lock預(yù)真空室
l 基片加熱溫度850℃,旋轉(zhuǎn)速率0-40rpm,直流和射頻偏壓,50mmZ軸可調(diào)工作距離
l 真正的共焦沉積系統(tǒng),滿足單層和多層薄膜沉積應(yīng)用
l 可集成4路MFC氣路,可進行反應(yīng)濺射
l 計算機控制或半自動控制
l 高真空或超高真空