Depolab 200

性?xún)r(jià)比高

PECVD 等離子沉積機(jī)臺(tái)Depolab 200延續(xù)了帶有直接裝載裝置的平行板等離子源的設(shè)計(jì)。 

擴(kuò)展性強(qiáng)

基于模塊化的設(shè)計(jì)，Depolab 200可以用增加更大的泵、低頻電源和附加氣路等方法升級(jí)。 

控制軟件 

控制軟件包括模擬用戶(hù)界面，參數(shù)窗口，工藝程序編輯器，數(shù)據(jù)記錄和用戶(hù)管理。 

Depolab 200是具有SENTECH平板電極設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)的PECVD機(jī)臺(tái)，可實(shí)現(xiàn)2至8寸晶圓及小樣品的標(biāo)準(zhǔn)工藝，并可通過(guò)升級(jí)滿(mǎn)足復(fù)雜工藝要求。 

Depolab 200在結(jié)構(gòu)、可靠性和軟硬件靈活性上均有杰出的的設(shè)計(jì)。在此系統(tǒng)上研發(fā)出不同的工藝，例如高質(zhì)量氧化硅和氮化硅膜工藝。Depolab 200由帶氣源箱的反應(yīng)器、控制電路、計(jì)算機(jī)、初級(jí)泵和主接線箱組成。 

Depolab 200等離子沉積機(jī)臺(tái)適用于SiO2, SiNx, SiONx和a-Si薄膜的沉積，最高溫度為400°C。Depolab尤其適用于沉積刻蝕掩膜用介質(zhì)膜、薄膜和介電膜的沉積。 

The Depolab 200可以通過(guò)用戶(hù)友好的SENTECH控制軟件界面進(jìn)行遠(yuǎn)程操作。