SI 500 PPD

工藝靈活 

SI500PPD適用于室溫至350°C范圍內(nèi)SiO2, SiNx, SiOxNy a-Si和薄膜沉積標準工藝。 

loadlock預真空室 

SI 500 PPD 具有真空預裝片系統(tǒng)、干泵來實現(xiàn)無油、高產(chǎn)能和高潔凈度沉積工藝。 

控制軟件 

控制軟件包括模擬用戶界面，參數(shù)窗口，工藝程序編輯器，數(shù)據(jù)記錄和用戶管理等模塊。 

SI500 PPD是PECVD制備介質(zhì)膜、a-Si SiC和其他薄膜的典型設備，配備有平板電容耦合等離子源、預真空室、可控溫電極、可選擇的低混頻，全方位控制無油真空系統(tǒng)，采用遠程現(xiàn)場總線技術的SENTECH控制軟件，以及用戶友好的操作界面來實現(xiàn)操作。 

SI500 PPD可以進行最大200mm的晶圓片刻蝕。配有單片預真空腔室，即保證了工藝穩(wěn)定性，又可以使工藝靈活切換。 

SI500PPD PECVD機臺的適用于室溫至350℃條件下沉積SiO2, SiNx, SiONx, 和a-Si薄膜，也可實現(xiàn)TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)或氣態(tài)源沉積其它材料。

SI500 PPD 尤其適用于沉積刻蝕掩膜用介質(zhì)膜、薄膜和介電膜的沉積。 

SENTECH面向高靈活性和高產(chǎn)能刻蝕和沉積系統(tǒng)提供各種級別的自動化裝置，從真空裝片系統(tǒng)到最大6端口的工藝腔室裝置。SI500 PPD同樣可以作為多腔室配置中的工藝模塊。