ICP-PECVD SI500D

高密度等離子體 

SI500D 具有優(yōu)良的等離子體特性，例如高密度，低離子能量，沉積介質(zhì)膜時低壓強(qiáng)等。 

平板ICP等離子源 

SENTECH專有的平板三螺旋天線（PTSA） 等離子源能實(shí)現(xiàn)高效低功率耦合。

優(yōu)良的沉積效果

沉積的薄膜具有損傷少、擊穿電壓高、應(yīng)力低，對襯底無損傷，極低表面態(tài)密度，能低于100°C的沉積等優(yōu)良特性。 

動態(tài)溫控 

襯底電極結(jié)合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進(jìn)行動態(tài)溫控，能提供穩(wěn)定的工藝條件，溫度范圍為室溫至350 °C。 

SI500D等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)可以進(jìn)行介質(zhì)膜、α-硅、SiC和其他材料的沉積。 

SI500D具有PTSA等離子源、分開式反應(yīng)氣體進(jìn)氣系統(tǒng)，動態(tài)襯底電極溫控，全面控制真空系統(tǒng)，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場控制總線技術(shù)的SENTECH控制軟件，以及友好用戶操作界面來操作。 

SI500D可以在最大尺寸為200mm的多種晶圓片上的進(jìn)行沉積。單片真空裝片裝置保證了工藝條件穩(wěn)定性，同時允許工藝的靈活切換。 

SI 500D型PECVD設(shè)備適用于室溫至350℃條件下進(jìn)行的SiO2、SiNx,、SiONx a-Si薄膜的沉積，同時可實(shí)現(xiàn)TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)或氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合于有機(jī)材料上高效保護(hù)層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。 

SENTECH面向高靈活性和高產(chǎn)能刻蝕和沉積系統(tǒng)提供各種級別的自動化裝置，從真空裝片系統(tǒng)到最大6端口的工藝腔室裝置。SI500同樣可以作為多腔室配置中的一個工藝模塊。