ICP-RIE SI 500

納米結(jié)構(gòu)低損傷刻蝕 

由于等離子的能量分布低，從而能實(shí)現(xiàn)低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)刻蝕。 

簡單高速率刻蝕 

MEMS制造工藝中，Si材料光滑側(cè)壁的高速高選擇比刻蝕，可以很容易的通過室溫或低溫工藝實(shí)現(xiàn)。 

內(nèi)置ICP等離子源 

平板三螺旋天線（PTSA）等離子源是SENTECH獨(dú)有的高端等離子工藝系統(tǒng)。PTSA能產(chǎn)生高密度低能量分布的等離子體。

在多種材料刻蝕工藝中都能實(shí)現(xiàn)高效率耦合及穩(wěn)定起輝 。

動(dòng)態(tài)溫控 

襯底溫度設(shè)定和工藝過程中的穩(wěn)定性是影響刻蝕工藝質(zhì)量的重要因素。ICP襯底電極結(jié)合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進(jìn)行動(dòng)態(tài)溫控，工藝溫度范圍為-150 °C 至 +400 °C。 

SENTECH面向高靈活性和高產(chǎn)能的刻蝕和沉積系統(tǒng)提供各種級別的自動(dòng)化裝置，從預(yù)真空系統(tǒng)到最大6端口的多工藝腔室裝置。SI500可以作為多腔室工藝模塊。